肖特基二極管（Schottky）SBD是肖特基勢壘二極管 （SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)?nbsp;通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

      SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高 速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。

反向恢復(fù)時間 

　　現(xiàn)代脈沖電路中大量使用晶體管或二極管作為開關(guān), 或者使用主要是由它們構(gòu)成的邏輯集成電路。而作為開關(guān)應(yīng)用的二極管主要是利用了它的通(電阻很小)、斷(電阻很大) 特性, 即二極管對正向及反向電流表現(xiàn)出的開關(guān)作用。二極管和一般開關(guān)的不同在于,“開”與“關(guān)”由所加電壓的極性決定, 而且“開”態(tài)有微小的壓降V f,“關(guān)”態(tài)有微小的電流I 0。當(dāng)電壓由正向變?yōu)榉聪驎r, 電流并不立刻成為(- I 0) , 而是在一段時間ts 內(nèi), 反向電流始終很大, 二極管并不關(guān)斷。經(jīng)過ts后, 反向電流才逐漸變小, 再經(jīng)過tf 時間, 二極管的電流才成為(- I 0) , ts 稱為儲存時間, tf 稱為下降時間。tr= ts+ tf 稱為反向恢復(fù)時間, 以上過程稱為反向恢復(fù)過程。 

　　這實際上是由電荷存儲效應(yīng)引起的, 反向恢復(fù)時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。該過程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開關(guān)作用。因此了解二極管反向恢復(fù)時間對正確選取管子和合理設(shè)計電路至關(guān)重要。

齊納二極管 

　　齊納二極管zener diodes(又叫穩(wěn)壓二極管它的電路符號是:此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個 很少的數(shù)值,在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用.其 伏安特性,穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓。 

　　齊納二極管不同于鍺二極管的是：如果反向電壓，有時簡稱為“偏壓”增加到某個特殊值，對于一個微小偏壓的變化，就會使電流產(chǎn)生一個可觀的增加。引起這種效應(yīng)的電壓稱為“擊穿”電壓或“齊納”電壓。2DW7型管的擊穿電壓在5．8－6．5V之間，極大電流是30mA。

信息來自：鉭電容  陶瓷電容  二、三極管  晶體振蕩器