AVX鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：

　　在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。

　　在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)類(lèi)似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱(chēng)電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個(gè)周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標(biāo)稱(chēng)值。反向電壓等級(jí)的設(shè)計(jì)蓋小級(jí)別游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。

鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱(chēng)紋波電壓 

　　這是最大的r.m.s.交流電壓；疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過(guò)該類(lèi)別電壓。 

鉭電容的成型電壓 

　　這是在陽(yáng)極氧化形成的電壓。 “這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個(gè)因素。

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