我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到(通常視0.5 - 5MHz 的之間該評級)。

　　除了共振頻率的設備變得感性。除了100kHz 的電容繼續下降。下面以AVX 貼片鉭電容E型220UF 10V 規格為例，來說明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。

AVX 鉭電容的等效串聯電阻ESR

　　阻力損失發生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點，粘性勢力內介質和生產旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關系;ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測量。ESR 是阻抗的因素之一，在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導因素。從而ESR 和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

AVX 鉭電容的阻抗和ESR 的頻率依賴性

　　ESR 和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗(由于電容器的電抗)變得更加重要。除了1MHz 的(和超越電容的諧振點)阻抗再次增加由于電感，電容的。典型ESR 和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的關系和ESR.在100kHz,阻抗和ESR 的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線

鉭電容的浪涌電壓

　　AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應力會穿過電介質，從而破壞了介質。例如一個6 伏的鉭電容在額定電壓運行時，有一個167 千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個電容器終端的電壓的決不會超過規定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層使用的半導體二氧化錳有自愈能力。

　　然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，保護電阻建議為1Ω/ V.如果達不到此要求應使用鉭電容器降壓系數高達70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。 A 系列組合應被用來增加工作電壓的等效電容器：

　　例如，兩個22μF25V 系列部分相當于一個11μF50V 的一部分。

　　是指電容在很短的時間經過最小的串聯電阻的電路33Ohms(CECC 國家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個小時時間內可達到高達10 倍額度電壓并高達30 秒的時間。浪涌電壓只作為參考參數，不能用作電路設計的依據，在正常運行過程中，電容應定期充電和放電。

　　不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR,浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍;在85 到125 度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。

信息來自：鉭電容  陶瓷電容  二、三極管  晶體振蕩器