我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到(通常視0.5 - 5MHz 的之間該評級)。

　　除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz 的電容繼續(xù)下降。下面以AVX 貼片鉭電容E型220UF 10V 規(guī)格為例，來說明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。

AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR

　　阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點，粘性勢力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測量。ESR 是阻抗的因素之一，在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR 和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

AVX 鉭電容的阻抗和ESR 的頻率依賴性

　　ESR 和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗(由于電容器的電抗)變得更加重要。除了1MHz 的(和超越電容的諧振點)阻抗再次增加由于電感，電容的。典型ESR 和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系和ESR.在100kHz,阻抗和ESR 的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線

鉭電容的浪涌電壓

　　AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應(yīng)力會穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個6 伏的鉭電容在額定電壓運行時，有一個167 千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個電容器終端的電壓的決不會超過規(guī)定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。

　　然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，保護電阻建議為1Ω/ V.如果達不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。 A 系列組合應(yīng)被用來增加工作電壓的等效電容器：

　　例如，兩個22μF25V 系列部分相當(dāng)于一個11μF50V 的一部分。

　　是指電容在很短的時間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC 國家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個小時時間內(nèi)可達到高達10 倍額度電壓并高達30 秒的時間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計的依據(jù)，在正常運行過程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

　　不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR,浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍;在85 到125 度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。

信息來自：鉭電容  陶瓷電容  二、三極管  晶體振蕩器